上海永上電器有限公司的RQ電阻器基本原理以及發(fā)展
RQ電阻器由電阻體、骨架和引出端三部分構(gòu)成（實芯電阻器的電阻體與骨架合而為一），而決定阻值的只是電阻體。對于截面均勻的電阻體，電阻值為
電阻值式中ρ為電阻材料的電阻率（歐/厘米）；L為電阻體的長度（厘米）；A為電阻體的截面積（厘米）。
薄膜電阻體的厚度d很小，難于測準(zhǔn),且ρ又隨厚度而變化，故把視為與薄膜材料有關(guān)的常數(shù)，稱為膜電阻。實際上它就是正方形薄膜的阻值，故又稱方阻(歐/方)。對于均勻薄膜薄膜阻值式中W為薄膜的寬度（厘米）。通常Rs應(yīng)在一有限范圍內(nèi)，Rs太大會影響電阻器性能的穩(wěn)定。因此圓柱形電阻體以刻槽方法，平面形電阻體用刻蝕迂回圖形的方法來擴大其阻值范圍，并進行阻值微調(diào)。
參數(shù)與特性 表征電阻特性的主要參數(shù)有標(biāo)稱阻值及其允許偏差、額定功率、負(fù)荷特性、電阻溫度系數(shù)等。
標(biāo)稱阻值 用數(shù)字或色標(biāo)在電阻器上標(biāo)志的設(shè)計阻值。單位為歐（Ω）、千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）、太歐（TΩ）。阻值按標(biāo)準(zhǔn)化優(yōu)先數(shù)系列制造,系列數(shù)對應(yīng)于允許偏差。
如何使用上表：四環(huán)電阻：一環(huán)數(shù)字（十位）二環(huán)數(shù)字（個位）*倍乘數(shù) 例;紅橙黑金=23*10^0=23Ω(±5%)
五環(huán)電阻：一環(huán)數(shù)字（百位）二環(huán)數(shù)字（十位）三環(huán)數(shù)字（個位）*倍乘數(shù)例：紅藍綠黑棕=265*10^0=265Ω(±1%)
允許偏差 實際阻值與標(biāo)稱阻值間允許的zui大偏差，以百分比表示。常用的有±5%、±10%、±20%,精密的小于±1%，高精密的可達0.001%。精度由允許偏差和不可逆阻值變化二者決定。
額定功率 電阻器在額定溫度（zui高環(huán)境溫度）tR下連續(xù)工作所允許耗散的zui大功率。對每種電阻器同時還規(guī)定zui高工作電壓，即當(dāng)阻值較高時即使并未達到額定功率，也不能超過zui高工作電壓使用。
負(fù)荷特性 當(dāng)工作環(huán)境溫度低于tR時，電阻器也不能超過其額定功率使用，當(dāng)超過tR時，必須降低負(fù)荷功率。對每種電阻器都有規(guī)定的負(fù)荷特性。此外，在低氣壓下負(fù)荷允許相應(yīng)降低。在脈沖負(fù)荷下，脈沖平均功率遠低于額定功率，一般另有規(guī)定。
RQ電阻器發(fā)展
1885年英國C.布雷德利發(fā)明模壓碳質(zhì)實芯電阻器。1897年英國T.甘布里爾和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜電阻器。1913～1919年英國W.斯旺和德國F.克魯格先后發(fā)明金屬膜電阻器。1925年德國西門子-哈爾斯克公司發(fā)明熱分解碳膜電阻器，打破了碳質(zhì)實芯電阻器壟斷
市場的局面。晶體管問世后，對電阻器的小型化、阻值穩(wěn)定性等指標(biāo)要求更嚴(yán)，促進了各類新型電阻器的發(fā)展。美國貝爾實驗室1959年研制成 TaN電阻器。60年代以來，采用滾筒磁控濺射、激光阻值微調(diào)等新工藝，部分產(chǎn)品向平面化、集成化、微型化及片狀化方面發(fā)展。
更新時間：2014-02-13 
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